型号 | SI7858BDP-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC |
SI7858BDP-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI7858BDP-T1-GE3 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.5 毫欧 @ 15A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 84nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 5760pF @ 6V |
功率 - 最大 | 48W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI7858BDP-T1-GE3DKR |